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真正的随机数发生器（TRNG）是许多应用程序的基本构建块，例如密码学，蒙特卡洛模拟，神经形态计算和概率计算。基于低屏障磁体（LBM）的垂直磁性隧道连接（PMTJ）是TRNG的天然来源，但它们倾向于遭受设备之间的变化，低速和温度敏感性的困扰。相反，用纳秒脉冲（表示为随机磁性的随机换能器（智能）设备）操作的中型驻磁铁（MBM）可能是此类应用的优越候选者。我们通过使用1-D Fokker – Planck方程来求解其脉冲持续时间（1 ps至1 ms）的基于MBM的PMTJ（E B〜20-40 K B t）的系统分析作为脉冲持续时间（1 ps至1 ms）的函数。我们研究了电压，温度和过程变化（MTJ尺寸和材料参数）对设备开关概率的影响。我们的发现表明，短期脉冲激活的智能设备（≲1ns）对工艺电压 - 温度（PVT）变化的敏感性要小得多，而消耗较低能量（〜fj）的智能设备比与较长脉冲一起使用的相同能量（〜fj）的敏感性要小得多。我们的结果显示了建立快速，节能和强大的TRNG硬件单元以解决优化问题的途径。

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